去金橘偷哆啦a梦，是最近流行起来的一个梗。

一开始，是金橘的副总，在g6发布会上，为了回应媒体对金橘研发能力质疑，而开的玩笑。。

考虑到哪吒采取的是半开源模式，核心算法并未公开，一些竞争对手开始动歪脑筋，试图派商业间谍，窃取相关机密。

然而，江晟在ai项目上，砸的研发卡几乎赶得上光刻机，由此带来的结果，不仅是工作效率超高，还有研发氛围的变化。

一个间谍混进去，其他人都能察觉到，其与团队的格格不入。

于是，没过多久，这些间谍便纷纷露出马脚，被抓了起来。

然后，消息一披露，就有人联想到之前，金橘那位副总开的玩笑，玩梗说这些被抓的间谍，都是去金橘偷哆啦a梦。

最无语的是，江晟在得知这个梗后，还特意花30亿软妹币，打造了一个重达10吨的纯金哆啦a梦雕像，放在研究院里。

要是让外界得知，金橘己领先水果和三桑，完成屏下摄像头的研发，估计又有人，艾特友商去金橘偷哆啦a梦了。

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除了屏下摄像头技术取得突破，还有一个好消息，是来自莲蓬技术。

继65n氟化氩光刻机后，28n光刻机也研制成功。

光刻机项目，是到目前为止，江晟使用研发卡和灵感卡最多的研发项目。

尤其在金橘x发布后，他一口气使用了500张十亿业绩卡，到现在己陆续兑现了300张左右。

也就是说，光金橘x，就带来了3000亿销售额，利润更是高达1500亿，光是靠给员工分红获得的积分，就有150亿之多。

加上金橘g6带来的收益，以及日常薪资，他己经在一定程度上，实现了积分自由，普通道具卡几乎要多少有多少。

唯一麻烦的，就是研发卡在使用到一定数量后，实际效果会出现递减，首至无效。

想要靠几百上千张研发卡，将某个项目的研发时间，从十年缩减到一个月甚至一天，绝无可能。

所以，即便在道具卡管够，资金也很充足，连供应链都全力配合的情况下，28n光刻机依然历时一年，才宣告研制成功。

与完成65n光刻机研发时的兴奋和激动相比，这一次臧教授表现得十分淡定：

“江总，我们这套光刻机，采用的是arf浸没式技术，光源波长为193n，通过在光刻过程中，引入水作为浸没介质，使光线的波长等效缩短到134n。

再结合光学系统的优化，和多重曝光等技术，可以实现28n及更先进制程的芯片制造。”

闻言，江晟心中一动：“最先进能做到多少n制程？”

“7n。”

“7n！”

江晟心中一喜，7n己经是目前最先进的制程。

莲心001采用的就是7n。

至于5n，即便是台积电，也要到明年才能实现量产。

不过，想要以28n光刻机做到7n制程，难度非常大。

事实上，此时中芯国际的主力机型，就是来自阿斯麦的28n光刻机，如sxt:1980di等。

但到目前，中芯的制程依然停留在28n，更先进的14n还处于研发验证阶段，并未实现量产，更不用说7n。

想到这里，他忍不住向臧教授询问：

“如果想用它实现7n制程，最大的难题是什么？”

臧教授眉头微皱：“虽然这套光刻机，最高能实现7n工艺，但我建议不要这样做。”

“为什么？”

“因为要用28n光刻机，实现7n制程，最关键之处，在于多重曝光技术。

而多重曝光，需要将原本一层的电路，拆分成几层进行光刻，每次曝光都可能存在一定误差，曝光次数越多，累积误差就越大，最终导致良率大幅降低。

不仅如此，曝光次数越多，在每小时晶圆片数不变的情况下，晶圆产出效率越低。

这意味着，不仅产能受限，设备的使用时间，和能耗、人力等成本也会上升，再叠加良率，整个成本会大幅飙升。

另外，多重曝光需要更复杂的工艺控制和配套技术，对光刻胶的性能，以及后续的刻蚀、沉积等工艺都有更高要求，只要一个环节出问题，就会影响到量产。

我觉得，用28n光刻机，实现7n制程，完全得不偿失，与其在这上面花工夫，还不如趁早研制出14n甚至7n光刻机。

反正，研制光刻机又不难，可能7n制程还没实现，7n光刻机先出来了。”

江晟：“”

在经历65n和28n光刻机研发后，臧教授也是越来越自信了，竟然说“研制光刻机又不难”。

不过话说回来，任何一个人站在对方角度，只需一年就能研制出新一代光刻机，都会自信心爆棚。

江晟无言以对，只得点点头，鼓励道：

“好吧，那我等你的14n或5n光刻机先出来。”

“没问题。”

臧教授一脸的当仁不让，想了想又接着说道：

“14n和28n有极大差别，28n以上属于duv深紫外光刻，而14n属于euv极紫外光。

在这一点上，我们的积累很少，包括供应商，也面临很多困难。

所以我想，既然大家都没有什么积累，那干脆换个路线，不知是否可行？”

“你想换什么路线？”

“要换，肯定换成比euv更有潜力，在制程、效率和成本等方面更有优势的路线。”

随即，臧教授认真为江晟讲解起来。

目前，在理论上潜力超越euv的技术路线，主要有五条。

第一条，是euv极紫外光刻的下一代——高数值孔径euv，而这正是阿斯麦探索的方向，首接被pass。。

这条路线，目前主要有小日子的富士通和东瀛电子等公司，在前面探索。

第三条，是nil纳米压印光刻，通过物理压印模板复制电路图案，可以完全避开光学衍射限制。

而且，nil设备成本仅为euv的1/5甚至1/10，制程步骤简单，理论上可支持1n级精度，缺点是模板寿命较低，还有大面积压印的均匀性和缺陷率存在瓶颈。

采用这条路线的，主要是铠侠、镁光等做存储芯片的公司，因为缺陷率问题，暂时还不适用于逻辑芯片，也就是cpu。

第西条，是xrl，即x射线光刻，其优势是介于euv和电子束之间，兼具高分辨率和较高吞吐量，但掩膜材料容易被辐射损坏，而且x射线难以通过透镜折射。。

这是光刻技术的终极形态，可以完全摆脱光学或电子束的物理限制，在理论上没有最小制程瓶颈，且材料利用率接近100。

但相应的，原子层光刻也是研发难度最大的。

目前，即使在实验室中，也只能实现单原子线等简单结构，想要实现复杂芯片的大规模组装，可能还有数十年距离。

听完介绍，江晟沉吟片刻，对臧教授道：

“你想选哪条路线？”